相關文章
Related Articles詳細介紹
品牌 | 中圖儀器 | 產地 | 國產 |
---|---|---|---|
加工定制 | 否 |
中圖儀器WD4000晶圓硅片厚度測量儀采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術,通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP等。在有效防止晶圓產生劃痕缺陷同時實現Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV)及分析反映表面質量的2D、3D參數測量。
WD4000晶圓硅片厚度測量儀兼容不同材質不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數據更準確。
1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數,同時生成Mapping圖;
2、采用白光干涉測量技術對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關3D參數;
3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過數值七點相移算法計算,達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,實現膜厚測量功能;
4、紅外傳感器發出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度,包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。
1、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量
集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組,使用一臺機器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量。
2、高精度厚度測量技術
(1)采用高分辨率光譜共焦對射技術對Wafer進行高效掃描。
(2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,晶圓規格可支持至12寸。
(3)采用Mapping跟隨技術,可編程包含多點、線、面的自動測量。
3、高精度三維形貌測量技術
(1)采用光學白光干涉技術、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm;
(2)隔振設計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲,獲得高測量重復性。
(3)機器視覺技術檢測圖像Mark點,虛擬夾具擺正樣品,可對多點形貌進行自動化連續測量。
4、大行程高速龍門結構平臺
(1)大行程龍門結構(400x400x75mm),移動速度500mm/s。
(2)高精度花崗巖基座和橫梁,整體結構穩定、可靠。
(3)關鍵運動機構采用高精度直線導軌導引、AC伺服直驅電機驅動,搭配分辨率0.1μm的光柵系統,保證設備的高精度、高效率。
5、操作簡單、輕松無憂
(1)集成XYZ三個方向位移調整功能的操縱手柄,可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準工作。
(2)具備雙重防撞設計,避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發生的損壞情況。
(3)具備電動物鏡切換功能,讓觀察變得快速和簡單。
1、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;
2、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區域和提取剖面等功能。
4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數;結構分析包括孔洞體積和波谷。
1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性。
2、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來反饋加工質量。在生產車間強噪聲環境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數據計算重復性為0.046987nm,測量穩定性良好。
品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
型號 | WD4000系列 |
測量參數 | 厚度、TTV(總體厚度變化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等 |
可測材料 | 砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、 鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、玻璃、外延材料等 |
厚度和翹曲度測量系統 | |
可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃、米字、自由多點 |
測量參數 | 厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度 |
三維顯微形貌測量系統 | |
測量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個) |
可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復性 | 0.005nm |
測量參數 | 顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數 |
膜厚測量系統 | |
測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測厚度 | 0.4um |
紅外干涉測量系統 | |
光源 | SLED |
測量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤載臺 |
X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
懇請注意:因市場發展和產品開發的需要,本產品資料中有關內容可能會根據實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。
產品咨詢
微信掃一掃